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ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
Manufacturer from China
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フラッシュ・メモリICの破片 (30)
プログラム可能なICの破片 (56)
コンピュータICは欠ける (26)
LEDの運転者IC (36)
力管理IC (28)
集積回路の破片 (28)
MCUのマイクロ制御回路単位 (157)
表示運転者IC (10)
IGBT力モジュール (10)
アンプICは欠ける (10)
電子ICの破片 (2981)
電子部品 (279)
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2SB1261トランジスター|BJT|PNP|60V V （BR） CEO|3A I （C）|TO-252VARの高い発電mosfetのトランジスター
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製品カテゴリ
フラッシュ・メモリICの破片
[30]
プログラム可能なICの破片
[56]
コンピュータICは欠ける
[26]
LEDの運転者IC
[36]
力管理IC
[28]
集積回路の破片
[28]
MCUのマイクロ制御回路単位
[157]
表示運転者IC
[10]
IGBT力モジュール
[10]
アンプICは欠ける
[10]
電子ICの破片
[2981]
電子部品
[279]
企業との接触
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
シティ：
shenzhen
国/地域：
china
連絡窓口：
MsDoris Guo
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企業との接触
2SB1261トランジスター|BJT|PNP|60V V （BR） CEO|3A I （C）|TO-252VARの高い発電mosfetのトランジスター
製品の詳細
2SB1261トランジスター|BJT|PNP|60V V （BR） CEO|3A I （C）|TO-252VARの高い発電mosfetのトランジスター 特徴: •ローパワーCMOSの技術: - 最高は5.5Vで流れに3 mAを書く - 最高は5.5Vで現在の400 μAを読んだ - 5.5Vで典型的...
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パワートランジスタデータシート
パワートランジスタ 2n3055
5401dmトランジスタ
