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SI4425DDY-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
特徴
TrenchFET®力MOSFET
テストされる100% Rg
適用
•負荷スイッチ
- ノートのPC
- デスクトップ パソコン
プロダクト概要 |
|||
VDS (v) |
RDS () (Ω) |
ID (A) a |
Qg (タイプ。) |
- 30 |
0.0098のVGS = 10ボルト |
- 19.7 |
27 NC |
0.0165のVGS = 4.5ボルト |
- 15.2 |
通知がなければ絶対最高評価TA = 25 °C、 |
||||
変数 |
記号 |
限界 |
単位 |
|
下水管源の電圧 |
VDS |
- 30 |
V |
|
ゲート源の電圧 |
VGS |
± 20 |
||
連続的な下水管の流れ(TJ = 150 °C) |
TC =25°C |
ID |
- 19.7 |
|
TC =70°C |
- 15.7 |
|||
TA = 25 °C |
- 13b、c |
|||
TA = 70 °C |
- 10.4b、c |
|||
脈打った下水管の流れ |
IDM |
- 50 |
||
連続的な源下水管のダイオード流れ |
TC =25°C |
ある |
- 4.7 |
|
TA = 25 °C |
- 2.1b、c |
|||
最高の電力損失 |
TC =25°C |
PD |
5.7 |
W |
TC =70°C |
3.6 |
|||
TA = 25 °C |
2.5b、c |
|||
TA = 70 °C |
1.6b、c |
|||
作動の接続点および保管温度の範囲 |
TJ、Tstg |
- 55から150 |
°C |
熱抵抗の評価 |
|||||
変数 |
記号 |
典型的 |
最高 |
単位 |
|
接続点にAmbientb最高、d |
tの≤ 10 s |
RthJA |
35 |
50 |
°C/W |
最高の接続点にフィート(下水管) |
定常 |
RthJF |
18 |
22 |