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2SD822/D822トランジスター/集積回路IC
特徴
電力損失
最高の評価（通知がなければTA=25°C）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 40 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 30 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 3 | A |
| PD | コレクターの電力損失 | 1.25 | W |
| TJ | 接合部温度 | 150 | °C |
| Tstg | 保管温度 | -55-150 | °C |
電気特徴（Tamb=25°C他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | TYP | MAX | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC = 100μA、IE=0 | 40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC = 10mA、IB=0 | 30 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | IE= 100μA、IC=0 | 5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= 40 V、IE=0 | 1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE= 30 V、IB=0 | 10 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 6 V、IC=0 | 1 | μA | ||
| DCの現在の利益 | hFE | VCE= 2 V、IC= 1A | 60 | 400 | ||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC= 2A、IB= 0.2 A | 0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC= 2A、IB= 0.2 A | 1.5 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE= 5V、IC=0.1A f =10MHz | 90 | MHz |
hFEの分類
| ランク | R | O | Y | GR |
| 範囲 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
接触の細部:
接触:天使日曜日
Tel:+86-13528847020
電子メール:Admin@winsunhk.cn
Skype:Angelsun618
Whatsapp:13528847020
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