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6 年
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| 包装 | テープ及び巻き枠（TR） | |
|---|---|---|
| 部分の状態 | 活動的 | |
| FETのタイプ | N-Channel | |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 50V | |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 200mA （Ta） | |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 5V | |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 3.5Ohm @ 200mA、5V | |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 1.5V @ 1mA | |
| Vgs （最高） | ±20V | |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 50pF @ 25V | |
| FETの特徴 | - | |
| 電力損失（最高） | 225mW （Ta） | |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
| タイプの取付け | 表面の台紙 | |
| 製造者装置パッケージ | SOT-23-3 （TO-236） |