スマートな半導体ウエハーの破片5NANOの技術のウエファーの構成の破片

これはウエファーおよび破片のプロジェクト（切られていない材料、不完全なブランド、完成品）のための私達のグループの子会社であり、使用可能なウエファーは切られていない材料および不良品のために取除くことができる。市場の使用は次の通りある:

5nmウエファー5NANOの技術のウエファーの構成の破片の塗布カバー:

多数の5NANO 12"はウエファー プロセスEUVの生産の効率および収穫の技術を改善し続けるEUV （極度な紫外写真平版）の技術を使用する。3つはすべて公有地で使用することができる。

㊀は12インチ5nmの破片3つのサイズで利用できる:

①.4*6m/mの② .6*7m/mの③ .7*11m/m.。

㊁は石版印刷ライン作られる:

①.4*6mmは24平方ミリリットルの区域であり、すなわち植え付けられる、各平方ミリリットルに177以上，000,000のトランジスターが約42.48億トランジスターおよび転換のアクセス メモリ= 512MB容量ある。

②.6*7mm、1GB容量と同等の合計74.34億トランジスターとの。

③.7*11mmは、そこに1.5G容量と同等の合計の136.29億トランジスターである。

量:合計1ヶ月あたりの1000箱は（1.2百万部分）発注する/40箱（9600部分）の最低の発注ことができる

240部分の箱を試みなさい。（価格米ドルを7/PCS見本抽出しなさい）。

供給の期間:長い順序はバッチで署名し、提供することができる

製品仕様書:

後につく処理するウエファーの複数の急所は説明される:

全体的な標準的な12"は5Nanoウエファーのウエファー、各フィルムの外の周囲およそある

サイズA 4mm * 6mm。（約70から110の破片）サイズB 6mm * 7mm。（約40から50の破片）サイズC 7mm * 11mm。（約16から24の破片）

包まれた形態:SoIC （システム統合された破片）を含んで、情報（統合されたファン・アウト実装技術）、

CoWoS （包む基質の破片）のような3DIC技術のプラットホームは、これらの5nm破片ファンのために完全に適しているのまたはファン・アウト タイプは実装技術を進めた。QFN、SOP、LQF、およびこれらが完全に包まれるにはすべての余りにも低価格であるが、できる。低価格の実装技術が使用されれば、キャリア板との一致によって決まる。

パッケージ:

カートンの包装。1kgは80部分である。

空気によってそれはそれが箱（1200部分） 1箱あたりの15kgの海によって箱（240部分） 1箱あたりの3kg行う

容器は1000箱（1.2百万部分）重量15トンである

5ナノメーターのウエファーのサンプル テストは詳しいデータ記述を識別する:

実装技術のレベルは「5ナノメーター破片」の包装の工場が検出するように要求し包装の結果はハイテクな正義を適用して必要、必要である。「光電子工学技術専門の器械」は検出できる以上1….1立方ミリメートルあたり7E。「トランジスター構造」にこの器械3D広範囲機能がある。

台湾のテスト データを提供しなさい:

、参照だけのためのインターネットから抜粋される
Bitman、中国の採鉱の装備の最も大きい生産者の者は採鉱の装備すべてが完売するウェブサイトで、示した。
より多くの装置のために絶望的な暗号抗夫は今年の夏の終わりか早い落下以内に渡される命令の真新しい装備および使用された機械を買っている。
採鉱設備を市場に来にくい使用した。新しい抗夫の価格は100%までに実際に上がったがこれらの装置の欠乏により価格は50-60%によってここ一年で上昇した。