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長さ（Mm）のThk 430μmのサファイアの基質のウエファーの水晶オリエンテーションC/M0.2、16のLEDの破片
JDCD08-001-001直径50mmのサファイアの基質のウエファー、Thk 430μmの長さ（mm）の水晶オリエンテーションC/M0.2、16のLEDの破片、基質材料
実用的な生産では、サファイアのウエファーは水晶棒を切り、ひき、そして磨くことによってなされる。通常、半導体ウエハーはワイヤー切れるか、またはマルチワイヤ打抜き機でウエファーに切られる。
サファイアはそれを高温、熱衝撃、水および砂の腐食に対して抵抗力があるようにする、および負傷である物理的な、化学光学的性質の独特な組合せの材料。それは3µmから5µmまで多くのIRの適用のための優秀な窓材料である。C平面のサファイアの基質はR平面のサファイアの基質はマイクロエレクトロニックICの適用のためのケイ素のheteroエピタキシアル沈殿のために使用されるが広く利用されている青いLEDおよび半導体レーザーのためのGaNのようなIII-VおよびII-VIの混合物を育てるために。
|
変数 |
指定 | ||
| 単位 | ターゲット | 許容 | |
| 材料 | 高い純度のAl2 O3 （>99.995%） | ||
| 直径 | mm | 50.8 | ±0.10 |
| 厚さ | μm | 430 | ±15 |
| 表面のオリエンテーション | C平面（0001） | ||
| - M軸線の方の角度を離れて… | 程度 | 0.20 | ±0.10 |
| -軸線の方の角度を離れて… | 程度 | 0.00 | ±0.10 |
| 平らなオリエンテーション | 平面（11-20） | ||
| -平らなオフセット角 | 程度 | 0.0 | ±0.2 |
| 平らな長さ | mm | 16.0 | ±1 |
| R平面 | R9 | ||
| 前部表面の粗さ（RA） | nm | <0.3 | |
| 背部表面の粗さ | μm | 0.8~1.2μm | |
| 前部表面質 | ミラーは、EPI準備ができた磨いた | ||
| ウエファーの端 | Rタイプ | ||
| 小さな溝の広さ | μm | 80-160 | |
| 平らな端と円形の端間の含まれた角度のラジアン | mm | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV （5x5mm） | μm | ≤1.5 | |
| 弓 | μm | 0~-5 | |
| ゆがみ | μm | ≤10 | |
| レーザーの印 | 必要な顧客ように | ||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
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