Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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JDCD06-001-006 8インチ シリコン・ウェーファー MEMS デバイス 統合回路 専用基板 ディスクレートデバイス

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JDCD06-001-006 8インチ シリコン・ウェーファー MEMS デバイス 統合回路 専用基板 ディスクレートデバイス

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型式番号 :JDCD06-001-006
原産地 :蘇州中国
最低順序量 :1
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :50000pcs/month
受渡し時間 :3-4 週日
包装の細部 :クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
直径 :8"
等級 :
成長方法 :CZ
オリエンテーション :<1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>
タイプ/添加物 :Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb
厚さ(μm) :725
厚さの許容 :標準的な± 25μmの最高の機能の± 5μm
抵抗 :0.001-100オームcm
終わる表面 :、P/P、E/E、G/G P/E
TTV (μm) :標準的な<10 um、最高Capabilities<5 um
弓/ゆがみ :標準的な<40 um、最高Capabilities<20 um
粒子 :<10>
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8インチシリコンウエハ MEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板


概要

エレクトロニクスでは、シリコン ウエハー (基板とも呼ばれます) は高純度の結晶シリコン (c-Si) の薄いスライスであり、複数の電子部品の複合体である集積回路の製造に使用されます。シリコンウェーハは、電子機器やマイクロメカニカルデバイスに応用されるため、半導体業界で重要な役割を果たしています。

シリコン結晶は金属のように見えますが、完全な金属ではありません。原子間を容易に移動する「自由電子」により、金属は電気の良導体であり、電気は電子の動きです。一方、純粋なシリコン結晶はほぼ絶縁体です。それを通過する電気はほとんどありません。ただし、これはドーピングと呼ばれるプロセスによって変更できます。

仕様

シリコンウェーハ

直径

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
学年 プライム
成長 方法 CZ
オリエンテーション <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
タイプ/ドーパント P型/ボロン、N型/リン、N型/As、N型/Sb
厚さ(μm) 279/380/525/625/675/725/775
厚さ 許容範囲 標準±25μm、最大能力±5μm
抵抗率 0.001~100Ωcm
水面 終了した P/E、P/P、E/E、G/G
TTV(μm) 標準 <10 um、最大機能 <5 um
弓・ワープ 標準 <40 um、最大機能 <20 um
粒子 <10@0.5um;<10@0.3um;<10@0.2um;

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
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通常、在庫がある場合は3~5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
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