Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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JDCD06-001-005 6インチ シリコン・ウェーファー MEMS デバイス 集積回路 専用基板 ディスクレートデバイス

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省/州:shanghai
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JDCD06-001-005 6インチ シリコン・ウェーファー MEMS デバイス 集積回路 専用基板 ディスクレートデバイス

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型式番号 :JDCD06-001-005
原産地 :蘇州中国
最低順序量 :1
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :50000pcs/month
受渡し時間 :3-4 週日
包装の細部 :クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
直径 :6"
等級 :
成長方法 :CZ
オリエンテーション :<1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>
タイプ/添加物 :Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb
厚さ(μm) :675
厚さの許容 :標準的な± 25μmの最高の機能の± 5μm
抵抗 :0.001-100オームcm
終わる表面 :、P/P、E/E、G/G P/E
TTV (μm) :標準的な<10 um、最高Capabilities<5 um
弓/ゆがみ :標準的な<40 um、最高Capabilities<20 um
粒子 :<10>
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6インチのシリコンの薄片MEMS装置、集積回路、分離した装置のための熱心な基質


概観

ケイ素は普通他の要素と混合されてある。ケイ素の要素は堅くそして複雑な整理で原子を結合できる。多量のケイ素はそれを得ること安価におよび容易させる。これはケイ素が最も広く利用された半導体材料なぜであるか最も大きい理由である。

指定

シリコンの薄片

直径

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
等級
成長方法 CZ
オリエンテーション <1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>
タイプ/添加物 Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb
厚さ(μm) 279/380/525/625/675/725/775
厚さの許容 標準的な± 25μmのCapabilit最高の/iesの± 5μm
抵抗 0.001-100オームcm
終わる表面 、P/P、E/E、G/G P/E
TTV (μm) 標準 <10 um="">
弓/ゆがみ 標準 <40 um="">
粒子 <10>

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

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