製品 サプライヤー Sign in Register

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

半導体産業のプロフェッショナルなワンストップ調達プラットフォームで,優れた品質と多様な製品と技術サービスを提供します

Manufacturer from China
正会員
4 年
ホーム 製品カタログ 会社概要 品質管理 お問い合わせ 割当て要求
日本語
ホーム / 製品 / SiC Epitaxial Wafer / 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm /

show pictures

製品カテゴリ

GaNのエピタキシアル ウエファー

 [68]

Sicのエピタキシアル ウエファー

 [33]

GaAsエピウェーハ

 [15]

CVDダイヤモンド基板

 [15]

急速な熱焼きなましシステム

 [2]

ホール効果センサーテスター

 [3]

窒化アルミニウムのウエファー

 [21]

半導体レーザーの破片

 [10]

炭化ケイ素の水晶

 [12]

Ga2O3 ウエハー

 [13]

シリコンの薄片

 [26]

サファイアのウエファー

 [19]

模造されたサファイアの基質

 [10]

テフロン ウエファーのホールダー

 [1]

ウェーハダイシングマシン

 [5]
企業との接触
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ：shanghai
省/州：shanghai
国/地域：china
連絡窓口：Xiwen Bai (Ciel)
表示連絡先の詳細
企業との接触

150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm
150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm
  • 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm
製品の詳細
150.0mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 SiC エピタキシャルウェーハ 47.5 mm ± 1.5 mm 概要 SiC は熱伝導率が高いため、他の半導体材料よりも急速に熱を放散します。これにより、SiC デバイスを非常に高い電力レベルで動作させながら、デバイスから発生す...
製品詳細図 →
商品のタグ：
sicのウエファー ガリウム砒素のウエファー インディアム・フォスフィード・ウエフラー

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4