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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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ホーム / 製品 / GaN Epitaxial Wafer / シリコンの薄片20nmContactの層の次元520±10nm 2inch緑主導のGaN /

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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シリコンの薄片20nmContactの層の次元520±10nm 2inch緑主導のGaN
シリコンの薄片20nmContactの層の次元520±10nm 2inch緑主導のGaN
  • シリコンの薄片20nmContactの層の次元520±10nm 2inch緑主導のGaN
製品の詳細
シリコンの薄片の2inch緑主導のGaN 概観 ガリウム窒化物（GaN）はパワー エレクトロニクスの世界中の革新的な転位を作成している。長年に渡って、ケイ素 ベースのMOSFETs （金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ）は動力を与えるために改宗者エネルギーを助ける毎日の現代世界のずっと重要部分で...
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LEDチップサイズ LEDPCB 32mm スクリーン LED P6 SMD

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