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シリコンの薄片の2inch緑主導のGaN
概観
ガリウム窒化物（GaN）はパワー エレクトロニクスの世界中の革新的な転位を作成している。長年に渡って、ケイ素 ベースのMOSFETs （金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ）は動力を与えるために改宗者エネルギーを助ける毎日の現代世界のずっと重要部分である。
生成的な敵対的なネットワーク（GANs）は2つのニューラル・ネットワークを使用する実質データのために渡ることができるデータの新しく、総合的な例を発生させるために他に対して1つを凹めるアルゴリズムの建築（こうして「敵対的な」）である。それらはイメージの生成、ビデオ生成および声の生成で広く使用される。
| ケイ素の2-4inch緑主導のGaN | |||||||||
| 項目Si （111の）基質 | Al （Ga） Nの緩衝 | uGaN | nGaN | MQW （1-3組） | AlGaN | pGaN | 接触の層 | ||
| InGaN-QW | GaN-QB | ||||||||
| 次元 | 2インチ、4インチ | ||||||||
| 520±10nm | |||||||||
| 厚さ | 800nm | 1000nm | 3000nm | ~3nm | ~10nm | 35nm | 145nm | 20nm | |
| 構成 | Al% | / | / | / | / | / | ~15 | / | / |
| In% | / | / | / | ~25 | / | / | / | / | |
| 添加 | [Si] | / | / | 8.0E+18 | / | 2.0E+17 | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | 1.0E+20 | 3.0E+19 | 2.0E+20 | |
| 基質の構造 | 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Siの（111の）基質 | ||||||||
| パッケージ | 、25PCS容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる | ||||||||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
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通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
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はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
