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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

シティ：shanghai

省/州：shanghai

国/地域：china

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企業との接触

5*10mm2表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー

製品の詳細

5*10mm2表面Un-doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 106 Ω·cm RF装置ウエファー概観 Epiの薄いウエファーはリーディングエッジMOS装置のために一般的である。厚いEpiがか多層のエピタキシアルウエファーは装置のために電力を制御するのに主に使用されエ...

製品詳細図 →

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COB SMD LEDチップアルミベースLEDMCPCB gaasの基質

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GaNのエピタキシアル ウエファー

Sicのエピタキシアル ウエファー