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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

シティ：shanghai

省/州：shanghai

国/地域：china

連絡窓口：Xiwen Bai (Ciel)

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企業との接触

10*10.5mm2 GaNの単結晶の基質の厚さ350の±25 µm TTVの≤ 10のµm

製品の詳細

10*10.5mm2 C表面はnタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗をSi添加した < 0=""> 概観ガリウム窒化物（GaN）の基質は良質のsingle-crystal基質である。それは元のHVPE方法および最初に長年にわたり開発されたウエファーの加工技術となされる。特徴は高い結晶、よい...

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商品のタグ：

bgaの基質 FR4PCB 0.4mm 基板 fr4

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GaNのエピタキシアル ウエファー

Sicのエピタキシアル ウエファー