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あなたの電子プロジェクトのための強力な絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）を捜せば、IRG4IBC30Sを聞くことができる。インフィニオン・テクノロジーズからのこの良質IGBTは決定ことを前に考慮するべきであること利点および欠点の範囲を提供する。
賛成論:
1. 高性能:1.7Vの超低いVCEの（坐った）電圧によって、IRG4IBC30Sはエネルギーを節約し、あなたの電子デバイスの熱生成を減らすことができる非常に能率的なIGBTである。
2. 高い切り替え速度:ちょうど10nsの速い切り替え速度を使うと、IRG4IBC30Sは転換の電源、運動制御および誘導加熱のような高周波適用を扱うことができる。
3. 高温評価:IRG4IBC30Sにそれを高温適用のために適したようにする175°Cの最高使用可能温度がある。
反対論:
1. 高い費用:IRG4IBC30Sは市場の他のモデルと比較される高い費用で来る優れたIGBTである。
2. 高圧範囲:IRG4IBC30Sの電圧範囲は高圧適用のために適しないかもしれない600Vに限られる。
3. 複雑な設計:IRG4IBC30Sに取付けおよび操作の間に細部への細心の注意を要求する複雑な設計がある。
結論として、IRG4IBC30Sは優秀な効率、切り替え速度、および高温処理を提供できる最高級IGBTである。但し、高い費用、限られた電圧範囲および複雑な設計は購入の決定前に考慮されるべきである。
指定:
コレクターのエミッターの電圧（VCEO）:600ボルトDC
コレクター流れ:2.5 A
構成:単一
最高のゲートのエミッターの電圧:20ボルト
電力損失:35 W
様式の取付け:穴を通して
最低の実用温度:- 55 C°
最高使用可能温度:150 C°
ブランド:国際的な整流器
パッケージ:TO-220F-3