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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

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DSS20201L-7 バイポーラNPNトランジスタ SMT実装 20V BJT NPNトランジスタ

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モデル番号 :DSS20201L-7

原産地 :米国

最低注文数量 :1

支払い条件 :T/T

納期 :5～8営業日

梱包の詳細 :SMD/SMT

製品 :バイポーラトランジスタ - バイポーラ接合トランジスタ (BJT)

インストールスタイル :SMD/SMT

パッケージ/ボックス :SOT-23-3

カプセル化 :リール，カットテープ，マウスリール

製品タイプ :BJT - 双極トランジスタ

単重 :8 mg

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製品の説明を表示

メーカー: Diodes Incorporated
製品カテゴリ: バイポーラトランジスタ-バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
テクノロジー: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-23-3
トランジスタ極性: NPN
構成: シングル
最大DCコレクタ電流: 2 A
最大コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO: 20 V
コレクタ-ベース間電圧 VCBO: 20 V
エミッタ-ベース間電圧 VEBO: 6 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧: 100 mV
Pd - 消費電力: 600 mW
ゲイン帯域幅積 ft: 150 MHz
最小動作温度: -55 °C
最大動作温度: +150 °C
シリーズ: DSS202
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
封止: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
DCコレクタ/ベースゲイン hFEmin: 200 at 2A, 2 V
最大DC電流ゲイン hFE: 200 at 10 mA, 2 V
高さ: 1 mm
長さ: 2.9 mm
製品タイプ: BJT - バイポーラトランジスタ
サブカテゴリ: トランジスタ
幅: 1.3 mm
単位重量: 8 mg

DSS20201L-7.pdf

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