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メーカー: Diodes Incorporated
製品カテゴリ: バイポーラトランジスタ-バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-89-3
トランジスタ極性: PNP
構成: シングル
最大DCコレクタ電流: 600 mA
最大コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO: 150 V
コレクタ-ベース間電圧 VCBO: 160 V
エミッタ-ベース間電圧 VEBO: 5 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧: 500 mV
Pd - 消費電力: 1 W
ゲイン帯域幅積 ft: 300 MHz
最小動作温度: -55 C
最大動作温度: +150 C
シリーズ: DXT5401
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
エンキャプシュレーション: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
DCコレクタ/ベースゲイン hFEmin: 50 at -50 mA, -5 V
高さ: 1.6 mm
長さ: 4.6 mm
製品タイプ: BJT - バイポーラトランジスタ
サブカテゴリ: トランジスタ
幅: 2.6 mm
ユニット重量: 52 mg