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メーカー: Diodes Incorporated
製品カテゴリ: バイポーラトランジスタ-バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
テクノロジー: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-363-6
トランジスタ極性: NPN
構成: デュアル
最大DCコレクタ電流: 600 mA
最大コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO: 40 V
コレクタ-ベース間電圧 VCBO: 75 V
エミッタ-ベース間電圧 VEBO: 6 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧: 1 V
Pd - 消費電力: 200mW
ゲイン帯域幅積 ft: 300MHz
最小動作温度: -55 C
最大動作温度: +150 C
シリーズ: MMDT22
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
梱包: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
コレクタ連続電流: 600 mA
最大DC電流ゲイン hFE: 300
高さ: 1 mm
長さ: 2.2 mm
製品タイプ: BJT - バイポーラトランジスタ
サブカテゴリ: トランジスタ
幅: 1.35 mm
単位重量: 6 mg