Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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NTJS4151PT1G MOSFET -20V -4.2A Pチャネル

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NTJS4151PT1G MOSFET -20V -4.2A Pチャネル

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モデル番号 :NTJS4151PT1G
原産地 :米国
最低注文数量 :1
支払い条件 :T/T
納期 :5~8営業日
梱包の詳細 :SMD/SMT SC-88-6
製品 :MOSFET
インストールスタイル :SMD/SMT
パッケージ/ボックス :SC-88-6
カプセル化 :リール,カットテープ,マウスリール
製品タイプ :ESDのサプレッサー
シリーズ :NTJS4151P
単重 :6.200mg
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メーカー: onsemi
製品カテゴリ: MOSFET
テクノロジー: si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/箱: SC-88-6
トランジスタ極性: Pチャネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: 20 V
Id - 連続ドレイン電流: 3.3 A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗: 205 mΩ
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -12 V, +12 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間スレッショルド電圧: 1.2 V
Qg - ゲート電荷: 10 nC
最小動作温度: -55 °C
最大動作温度: +150 °C
Pd - 消費電力: 1 W
チャンネルモード: エンハンスメント
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
エンキャプシュレーション: MouseReel
商標: onsemi
構成: シングル
降下時間: 4.2 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 12 S
高さ: 0.9 mm
長さ: 2 mm
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 1.7 ns
シリーズ: NTJS4151P
サブカテゴリ: トランジスタ
トランジスタタイプ: 1 Pチャネル
タイプ: MOSFET
標準的なオフ遅延時間: 2.7 ns
標準的なオン遅延時間: 0.85 ns
幅: 1.25 mm
単位重量: 6.200 mg

NTJS4151PT1G.PDF

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