STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

STJK (HK)の電子工学CO.は、限った 最初に質、最初に評判、最初にサービス、最初に顧客。

Manufacturer from China
確認済みサプライヤー
3 年
ホーム / 製品 / Discrete Semiconductor Devices /

40V 10A 2Wの分離した半導体デバイスのトランジスターAO4884 Mosfetの配列2

企業との接触
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
シティ:hong kong
国/地域:china
連絡窓口:MrTom Guo
企業との接触

40V 10A 2Wの分離した半導体デバイスのトランジスターAO4884 Mosfetの配列2

最新の価格を尋ねる
型式番号 :AO4884
最低順序量 :>=1pcs
支払の言葉 :L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、
供給の能力 :Day+pcs+1-2daysごとの100000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :2-3Days
包装の細部 :1. 元の工場は標準的なタイプが付いているパッキングを密封した:管、皿、テープおよび巻き枠の箱、袋のパッキング。親切に私達に特別な条件があるかどうか知らせなさい。2。すべての項目はまめ袋と詰まり、泡は
原産地 :中国
記述 :MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
パッケージ/場合 :8-SOIC
タイプの取付け :表面の台紙
実用温度 :-55℃~150℃
電圧-供給 :40V
more
企業との接触

Add to Cart

類似の動画を探す
製品の説明を表示

トランジスター- FETs ICはAO4884 Mosfetの配列2のN-Channel (二重) 40V 10A 2Wの表面の台紙8-SOICを欠く

製品の説明

部品番号AO4884はチタニウムの技術によって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

AO4884のより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量AO4884を加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

プロダクト特性

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
2 N-Channel (二重)
FETの特徴
論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
40V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
10A
(最高) @ ID、VgsのRds
13mOhm @ 10A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
2.7V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
33nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
1950pF @ 20V
パワー最高
2W
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
製造者装置パッケージ
8-SOIC

40V 10A 2Wの分離した半導体デバイスのトランジスターAO4884 Mosfetの配列2

40V 10A 2Wの分離した半導体デバイスのトランジスターAO4884 Mosfetの配列2

40V 10A 2Wの分離した半導体デバイスのトランジスターAO4884 Mosfetの配列2

40V 10A 2Wの分離した半導体デバイスのトランジスターAO4884 Mosfetの配列2

お問い合わせカート 0