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China NTTFS3A08PZTAGのトランジスターMosfet Pチャネル20V 9A 8WDFN wholesale

NTTFS3A08PZTAGのトランジスターMosfet Pチャネル20V 9A 8WDFN

最新の価格を尋ねる

型式番号 :NTTFS3A08PZTAG

原産地 :アメリカ

包装の細部 :元のパッケージ

最低順序量 :discussible

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :10000pcs/one月

受渡し時間 :3~10日

タイプ :Mosfet

パッケージのタイプ :WDFN-8

製造者のタイプ :元の製造業者、ODMの代理店、小売商、他

利用できる媒体 :データ用紙、写真、EDA/CADは、他模倣する

電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :20ボルト

実用温度 :-55 ℃~150 ℃

タイプの取付け :表面の台紙

パッケージ/場合 :WDFN-8、WDFN-8

要素の数 :1

ピンの数 :8

最高使用可能温度 :150 °C

要素構成 :シングル

最低の実用温度 :-55 °C

上昇時間 :56 ns

最高のRds :6.7 mΩ

RoHS :迎合的

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製品の説明を表示

NTTFS3A08PZTAGのトランジスターFETsのMOSFETs単一P-CH 20V 9A 8WDFNのP-Channel

製品の説明:

1. -20V、- 15A、6.7 Mω、P-channel力MOSFET

2. P-channel 20V 9A （Ta）の840mW （Ta）表面の台紙8-wdfn （3.3x3.3）

3. TRANS MOSFET P-CH 20V 22A 8 Pin WDFN EP T/R

4.部品-20V、- 15A、6.7mのPチャネル力MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG

あなたの効率を改善しなさい:

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時間の条件:
引用語句の時間: < 1mins=""> < 3mins=""> 受渡し時間: < 24="" hrs=""> < 48="" hrs=""> < 72="" hrs=""> PCBの時間: < 72="" hrs=""> < 7="" days=""> PCBAの時間: < 5="" days=""> *上記のデータはアイドル時間の正常な材料にだけ適当である。

科学技術変数:

FETのタイプ	P-Channel
技術	MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	20ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	9A （Ta）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）	2.5V、4.5V
（最高） @ ID、VgsのRds	6.7mOhm @ 12A、4.5V
Vgs （（最高） Th） @ ID	1V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	56 NC @ 4.5ボルト
Vgs （最高）	±8V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	5000 pF @ 10ボルト
電力損失（最高）	840mW （Ta）
実用温度	-55°C \| 150°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙
製造者装置パッケージ	8-WDFN （3.3x3.3）
基礎プロダクト数	NTTFS3

プロダクト映像:

品質保証

1.Every工程に質を保障するためにテストするべき特別な人がある

質を点検する2.Have専門エンジニア

3.Allプロダクトはセリウム、FCC、ROHSおよび他の証明を渡した