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真新しいオリジナルの集積回路ICの破片BSS138K ICの破片
プロダクト 記述:
N-Channel MOSFET BSS138K、220 mA、Vds=50 Vの3 Pin SOT-23パッケージ
強化モード電界効果トランジスタ（FETs）はフェアチャイルドの特許を取られた高い細胞密度DMOSの技術を使用して作り出される。この高密度プロセスはオン州の抵抗を最小にするように設計され強く、信頼できる性能および速い切換えを提供する。
フェアチャイルドは提供する高圧（>250V）低電圧を含むMOSFET装置の大きい有価証券を（<250v>
フェアチャイルドのMOSFETsは電圧最高になることおよびオーバーシュートの付加的で外的な部品なしでシステム作動中のより長い保つ接続点キャパシタンスおよび逆の回復充満を減らすために減少によって優秀な設計信頼性を提供する
TRANS MOSFET N-CH 50V 0.22A 3 Pin SOT-23 T/R
絶対最高評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。装置は作用しないかもしれないまたはこれらのレベルに推薦された作動条件および部品に重点を置くことの上で操作可能であることは推薦されない。付加では、推薦された作動条件の上の圧力への延長露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。Theabsoluteの最高の評価は圧力の評価だけである
科学技術変数:
| 下水管源の抵抗 | 1.6 Ω |
| 放蕩力 | 0.35 W |
| 下水管源の電圧（Vds） | 50ボルト |
| 入れられたキャパシタンス（Ciss） | 58pF @25V （Vds） |
| 設置方法 | 表面の台紙 |
| パッケージ | SOT-23-3 |
| パッキング | テープ及び巻き枠（TR） |
| 製造の適用 | 力管理 |
| RoHSの標準 | 迎合的なRoHS |
| 鉛の標準 | 無鉛 |