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China BSS123 SA SOT23電子IC 3つのPinの表面の台紙の取付けを欠く wholesale

BSS123 SA SOT23電子IC 3つのPinの表面の台紙の取付けを欠く

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型式番号 :BSS123

最低順序量 :discussible

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :1ヶ月あたりの10000 PC

受渡し時間 :1-7Work幾日

包装の細部 :元

原産地 :中国

下水管源の抵抗 :1.2 Ω

放蕩力 :360 MW

境界の電圧 :1.7 V

設置方法 :表面の台紙

ピンナンバー :3

パッケージ :SOT-23-3

パッキング :テープ及び巻き枠（TR）

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新しい元のBss123 Sa Sot23集積回路ICの破片

プロダクト 記述:

互換性があるSAの速い切換え/論理のレベルを示すBSS123 N-Channel MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59

最高の源下水管の電圧Vdsの下水管源の電圧|100V---|---最高のゲート源の電圧Vgs （±）のゲート源の電圧|100V最高の下水管現在のIDは現在を流出させる|170mA/0.17A源下水管オンresistanceΩRds DΩ /Ohmain-SouΩ/Ohmceのオン州Ω/Ohmesistance|3.4Ω/Ohm @1.7Aの10V Turn-on電圧Vgs （Th）のゲート源の境界の電圧|0.8-1.2V Pdの電力損失|360mW/0.36W記述及び適用|N-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタBSS100:0.22A、100V。RDS （） = 6W @ VGS = 10V。BSS123:0.17A、100V。RDS （） = 6W @ VGS = 10V極端に低いRDSの（）電圧管理された小さい信号スイッチのための高密度細胞の設計。険しく、信頼できる。記述及び適用|N-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタBSS100:0.22A、100V。RDS （） = 6W@VGS =10V。BSS123:0.17A、100V。RDS （で） =6W@ VGS= 10Vの高密度電池は極端に低いRDSの（）電圧と小さい信号スイッチを制御するように設計されている。

科学技術変数:

入れられたキャパシタンス（Ciss）	73pF @25V （Vds）
下水管源の抵抗	1.2 Ω
放蕩力	360 MW
境界の電圧	1.7 V
下水管源の電圧（Vds）	100ボルト
設置方法	表面の台紙
ピンナンバー	3
パッケージ	SOT-23-3
実用温度	-55℃ \| 150℃
パッキング	テープ及び巻き枠（TR）

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