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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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ホーム / 製品 / Ga2O3 Wafer / 半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加 /

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半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加
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  • 半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加
製品の詳細
Ga2O3の単結晶の基質の厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec> 10x15mm2は（- 201）支えがないGa2O3の単結晶の基質プロダクト等級の単一の磨く厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec、半導体材料のRa≤0.5nmの抵抗4.13E+17Ω/cm-3の光電子工...
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bcd半導体 半導体 ICの半導体

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