6インチ 4H-SiC基板 N型 P-SBDグレード 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2抵抗率 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 電力およびマイクロ用 6inch 4H-SiC基板 N型概要 SiC ブール (結晶) が成長し、インゴットに機械加工され、次に基板にスライスされ...

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