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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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ホーム / 製品 / GaN Epitaxial Wafer / 5x10mm2 Sp 面 Gan エピタキシャルウェーハ Un Doped Si タイプ Gan 単結晶基板 /

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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5x10mm2 Sp 面 Gan エピタキシャルウェーハ Un Doped Si タイプ Gan 単結晶基板
5x10mm2 Sp 面 Gan エピタキシャルウェーハ Un Doped Si タイプ Gan 単結晶基板
  • 5x10mm2 Sp 面 Gan エピタキシャルウェーハ Un Doped Si タイプ Gan 単結晶基板
製品の詳細
5×10mm2SP 面 (20-21)/(20-2-1) アンドープ SI 型自立 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 106Ω・cm RFデバイスウエハー 概要 さまざまなタイプの敵対的生成ネットワーク (GAN) DC GAN – ディープ畳み込み GAN です。... 条件付き GAN および無条...
製品詳細図 →
商品のタグ：
gan 半導体 ワッフル パパンLEDPCB

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