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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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SI7942DP-T1-GE3電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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China SI7942DP-T1-GE3電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列 wholesale
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SI7942DP-T1-GE3電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列
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部品番号 :SI7942DP-T1-GE3
製造業者 :Vishay Siliconix
記述 :MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
部門 :トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族 :トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
シリーズ :TrenchFET®
原産地 :原物
最低順序量 :交渉可能
受渡し時間 :交渉可能
支払の言葉 :T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :100000
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SI7942DP-T1-GE3指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ 2 N-Channel （二重）
FETの特徴 論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧（Vdss） 100V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 3.8A
（最高） @ ID、VgsのRds 49 mOhm @ 5.9A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID 4V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs 24nC @ 10V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds -
パワー最高 1.4W
実用温度 -55°C | 150°C （TJ）
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 二重PowerPAK® SO-8
製造者装置パッケージ 二重PowerPAK® SO-8
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

SI7942DP-T1-GE3包装

検出

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商品のタグ：

mosfet array

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npn transistor array
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