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企業との接触

ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：MsDoris Guo

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低い熱抵抗100つのVのN-ChannelのNexFET力のMOSFETs CSD19533Q5A

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型式番号 :CSD19533Q5A

原産地 :元

最低順序量 :20pcs

支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal

供給の能力 :5200PCS

受渡し時間 :1日

包装の細部 :細部については私に連絡しなさい

記述 :N-Channel 100 V 100A （Ta） 3.2W （Ta）、96W （Tc）表面の台紙8-VSONP （5x6）

下水管に源の電圧 :100ボルト

ゲート充満合計（V） 10 :27 NC

流出するべきゲート充満ゲート :4.9 NC

抵抗の下水管に源 :8.7 mΩ

境界の電圧 :2.8 V

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特徴

•超低いQgおよびQgd

•低い熱抵抗

•評価されるなだれ

•Pbなしの末端のめっき

•迎合的なRoHS

•自由なハロゲン

•息子5 mmの× 6 mmのプラスチックパッケージ

適用

•第一次側面の電気通信

•二次側面の同期整流器

•運動制御

記述

この100つのVの7.8 mΩ、息子5 mm X 6つのmm NexFET™

力MOSFETは損失を最小にするように設計されている

力転換の適用。

Q5Aのテープおよび巻き枠情報

注:

1. 10スプロケット穴ピッチの累積許容±0.2

2. 100つのmm、noncumulative 250以上のmmの1つのmmを超過しないためにわずかに弓なりにしなさい

3. 材料:黒い静的散逸性のポリスチレン

4. すべての次元はmmにある（他に特に規定がなければ）

5. A0およびB0は平面でポケットの底の上の0.3 mmを測定した

商品のタグ：

insulated gate bipolar transistor igbt

fr4 thermal resistence

igbt saturation voltage

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