ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター

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型式番号 :MJD112T4G
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :8600pcs
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
記述 :両極(BJT)トランジスターNPN -ダーリントン100ボルト2 25MHz 20 Wの表面の台紙DPAK
Collector−Emitterの電圧 :DC100V
Collector−Baseの電圧 :DC100V
Emitter−Baseの電圧 :5 Vdc
基礎流れ :50 mAdc
全体の電力損失@ TC = 25°C :20W
作動および貯蔵の接合部温度の範囲 :+150 °Cへの−65
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MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

補足のダーリントン力トランジスター

表面の台紙の塗布のためのDPAK

ケイ素力トランジスター

2アンペア

100ボルト

20ワット

切換え調整装置、コンバーターおよび電力増幅器のような適用の出力または運転者段階のような一般目的力そして転換のために設計されている。

特徴

•Pb−Freeのパッケージは利用できる

•プラスチック カバー(接尾辞無し)の表面の台紙の塗布のために形作られる鉛

•プラスチック カバー(「−1」接尾辞)のまっすぐな鉛版

•16のmmテープおよび巻き枠(「T4」および「RL」の接尾辞)の鉛によって形作られる版

•普及したTIP31およびTIP32シリーズに電気で類似した

最高の評価

評価 記号 最高 単位
Collector−Emitterの電圧 VCEO 100 Vdc
Collector−Baseの電圧 VCB 100 Vdc
Emitter−Baseの電圧 VEB 5 Vdc

連続的なコレクター流れの−

ピーク

IC

2

4

Adc
基礎流れ IB 50 mAdc

全体の電力損失@ TC = 25°C

25°Cの上で軽減しなさい

PD

20

0.16

W

With°C

総力Dissipation* @ TA = 25°C

25°Cの上で軽減しなさい

PD

1.75

0.014

W

With°C

作動および貯蔵の接合部温度の範囲 TJ、Tstg +150への−65 °C

最高の評価はどの装置損傷が起こることができるかを越えるそれらの価値である。最高の評価は装置にで、個々の圧力の限界値(正常な動作条件)である同時に無効適用した。これらの限界が超過すれば、装置機能操作は意味されない、損傷は起こり、信頼性は影響を受けるかもしれない。

示す図表

パッケージ次元

DPAK

場合369C

問題O

DPAK−3

場合369D−01

問題B

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