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HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60
HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60
  • HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60
製品の詳細
フラッシュ・メモリの破片HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラム、128MX8、0.4ns、CMOS、PBGA60 特徴 VDD = 1.8 +/- 0.1V•VDDQ = 1.8 +/- 0.1V すべての入出力はSSTL_18インターフェイスと互換性がある 8つの銀行 十分に差動クロック...
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hp gen8メモリ ideのフラッシュ・メモリ キングストンG2

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