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HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

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China HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60 wholesale
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HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60
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型式番号 :HY5PS1G831CFP-S6
最低順序量 :1260PCS/BOX
支払の言葉 :T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他
供給の能力 :1ヶ月あたりの10K
受渡し時間 :3-5 日
包装の細部 :10cm x 10cm x 5cm
項目 Numbe :HY5PS1G831CFP-S6
密度 :1G （128MX8）
製品カテゴリ :記憶及びフラッシュ・メモリ
クロック周波数 :400.0 MHz
タイム最高にアクセスして下さい :40NS
技術 :ドラム
アクセス・モード :多銀行ページの破烈
パッケージ :FBGA60
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フラッシュ・メモリの破片HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラム、128MX8、0.4ns、CMOS、PBGA60

 

 

特徴

  • VDD = 1.8 +/- 0.1V•VDDQ = 1.8 +/- 0.1V
  • すべての入出力はSSTL_18インターフェイスと互換性がある
  • 8つの銀行
  • 十分に差動クロックの入力（CK、/CK）操作
  • 二重データ転送速度 インターフェイス
  • 二方向データ ストロボ（DQS、/DQS）に一直線に並ぶ源同期データ トランザクション
  • 差動データ ストロボ（DQS、/DQS）
  • いつ読みなさいかDQSの/DQSの端でデータ出力（DQを研いだ）
  • （いつ書きなさいかDQSの中心のデータ入力はDQを集中させた）
  • 破片DLLでCKの転移とDQ、DQSおよび/DQSの転移を一直線に並べなさい
  • DMのマスクはデータ ストロボの落ちる上がり、端でデータで書く
  • 時計の上昇端で掛け金を降ろされるデータ、データ ストロボおよびデータ マスクを除くすべての住所そして操作量
  • プログラム可能なCASの潜伏3、4、5および6は支えた
  • プログラム可能な付加的な潜伏0、1、2、3、4および5は支えた
  • 両方のプログラム可能な破烈させた長さ4/8順次少量およびインターリーブ モード
  • 単一の脈打ったRASの内部8つの銀行操作
  • 自動車は新たになり、自己は支えられて新たになる
  • tRAS閉鎖は支えた
  • 8Kによっては周期/64msが新たになる
  • JEDEC標準的な60ball FBGA （x4/x8）、84ball FBGA （x16）
  • EMRによって制御される完全な強さの運転者の選択
  • ダイスで終了は支えた
  • 破片の運転者のインピーダンスを離れて調節は支えた
  • 読まれたデータ ストロボは支えた（唯一のx8）
  • 高温記入項目を自己新たになりなさい

  • このプロダクトはRoHSの指令の関係に従ってある。

 

 

特徴:

 

HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

 

 

 

 

商品のタグ：

hp gen8 memory

ide flash memory

kingston g2
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