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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD
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TC58BYG1S3HBAI6高容量のフラッシュ・メモリの破片、2gb否定論履積のフラッシュ ドライブ67VFBGA
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TC58BYG1S3HBAI6高容量のフラッシュ・メモリの破片、2gb否定論履積のフラッシュ ドライブ67VFBGA
製品の詳細
フラッシュ・メモリの破片TC58BYG1S3HBAI6 ICは2G平行67VFBGA点滅する 彼はTC58BYG1S3HBAI6消去可能な単一1.8V 2 Gbit （2,214,592,512ビット）否定論履積および（2048年+ 64）バイトの× 64のページの× 2048blocksとして組織...
製品詳細図 →
商品のタグ：
フラッシュドライブ 32GB nk890
dd3 RAM
pc133ラム
