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フラッシュ・メモリの破片TC58BYG1S3HBAI6 ICは2G平行67VFBGA点滅する
彼はTC58BYG1S3HBAI6消去可能な単一1.8V 2 Gbit （2,214,592,512ビット）否定論履積および（2048年+ 64）バイトの× 64のページの× 2048blocksとして組織される電気でプログラム可能読み取り専用メモリ（否定論履積E2PROM）である。装置は2112バイトの増分の記録とメモリ セルの配列の間で移るべきプログラムおよび読まれたデータを可能にする2112バイトの静的な記録を備えている。消去操作はシングル ブロックのユニット（128 Kバイト+ 4 Kバイトで実行される:2112のバイトの× 64のページ）。
TC58BYG1S3HBAI6は住所およびデータ入出力両方のために、また命令入力のために入力/出力ピンを利用する連続タイプのメモリ素子、記憶装置である。装置を高密度不揮発性メモリのデータ記憶を要求するスチル カメラのためのソリッド ステート ファイル ストレージ、声の録音、イメージ ファイルの記憶および他のシステムのような適用のために最も適したようにする消去およびプログラム操作は自動的に実行される。
TC58BYG1S3HBAI6に破片のECCの論理があり、8bitは各528Bytesのための読み込みエラーを内部的に訂正することができる
| | 記述 | 価値 |
|---|---|---|
| | 建築 | Sectored |
| | ブロック構成 | 対称 |
| | 細胞のタイプ | SLC否定論履積 |
| | 密度 | 2 GB |
| | ECCサポート | はい |
| | インターフェイスの種類 | 連続 |
| | 最高の作動の供給電圧 | 1.95 V |
| | 最低の作動の供給電圧 | 1.7 V |
| | 土台 | 表面の台紙 |
| | 単語ごとのビットの数 | 8ビット |
| | 単語の数 | 256 MWords |
| | 実用温度 | -40から85 °C |
| | ページ サイズ | 2 KB |
| | ピン・カウント | 67 |
| | プロダクト次元 | 8 x 6.5 x 0.74 （最高） |
| | プログラミングの電圧 | 1.7から1.95ボルト |
| | レベルの選別 | 産業 |
| | セクタ サイズ | 128のx 2048 KB |
| | 製造者のパッケージ | VFBGA |
| | タイミングのタイプ | 同期 |
| | 典型的な作動の供給電圧 | 1.8000 V |
特徴: