北京のシルク ロードの企業経営サービスCo.、株式会社

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H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能

H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能
  • H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能
製品の詳細
ドラムのメモリー チップH5TQ4G63CFR-RDC DDRのドラム、256MX16、CMOS、PBGA96 H5TQ4G63は理想的に主記憶操置適用に適する大きい記録密度および高い帯域幅を要求する4,294,967,296ビットCMOS倍のデータ転送速度III (DDR3)の同期ドラム、である。...
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