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H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリーチップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能

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型式番号 :H5TQ4G63CFR-RDC

最低順序量 :1 個のパッケージ

支払の言葉 :T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他

供給の能力 :1ヶ月あたりの10K

受渡し時間 :3-5 日

包装の細部 :皿のパッケージ、1600/box

項目No。 :H5TQ4G63CFR-RDC

記憶ICタイプ :DDRのドラム

アクセス・モード :多銀行ページの破烈

パッケージ :R-PBGA-B96

記憶幅 :16

マウント :表面実装

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ドラムのメモリーチップH5TQ4G63CFR-RDC DDRのドラム、256MX16、CMOS、PBGA96

H5TQ4G63は理想的に主記憶操置適用に適する大きい記録密度および高い帯域幅を要求する4,294,967,296ビットCMOS倍のデータ転送速度III （DDR3）の同期ドラム、である。時計の落ちる上がり、端に参照されるSK Hynix 4Gb DDR3 SDRAMsの提供の十分に同期動作。すべての住所および操作量がCK （CKの落ちる端）の上昇端で掛け金を降ろされる間、データ、データストロボはそれの落ちる上がり、端でおよびデータマスクの入力を書くために見本抽出される。データ・パスは内部的に導管で送られ、非常に高い帯域幅を達成するために8ビットはprefetched。

特徴

VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
十分に差動クロックの入力（CK、CK）操作
差動データストロボ（DQS、DQS）
破片DLLでCKの転移とDQ、DQSおよびDQSの転移を一直線に並べなさい
DMのマスクはデータストロボの落ちる上がり、端でデータで書く
時計の上昇端で掛け金を降ろされるデータ、データストロボおよびデータマスクを除くすべての住所そして操作量
プログラム可能なCASの潜伏5、6、7、8、9、10、11、13および14は支えた
プログラム可能な付加的な潜伏0、CL-1およびCL-2は支えた
プログラム可能なCASは潜伏（CWL） = 5、6の、7、8 9および10書く
両方のプログラム可能な破烈させた長さ4/8順次少量およびインターリーブモード
大急ぎでBLスイッチ
8banks
平均によっては周期（0°C~ 95°C）のTcaseが新たになる
- 0°C | 85°Cの7.8のµs
- 85°C | 95°C商業の3.9のµs温度（0°C | 95°C）産業温度（-40°C | 95°C）
JEDEC標準的な78ball FBGA （x8）、96ball FBGA （x16）
EMRSによって選ばれる運転者の強さ
ダイスの終了の原動力は支えた
非同期再調節されたピンは支えた
ZQの口径測定は支えた
支えられるTDQS （終了データストロボ）（唯一のx8）
支えられるLevelizationを書きなさい
8かまれた先取り

技術的な属性

	記述	価値
	住所バス幅	15ビット
	データ・バス幅	16ビット
	密度	4 GB
	鉛の終わり	錫\|銀\|銅
	最高のクロックレート	934.57 MHz
	最高の動作電流	55 mA
	最高のランダム・アクセス時間	20 ns
	土台	表面の台紙
	銀行の数	8
	単語ごとのビットの数	16ビット
	入力/出力ラインの数	16ビット
	作動の供給電圧	1.5 V
	実用温度	0から95 °C
	構成	256M x 16
	ピン・カウント	96
	プロダクト次元	13 x 7.5 x 0.76
	レベルの選別	コマーシャル
	製造者のパッケージ	FBGA
	タイプ	DDR3 SDRAM

ECCN/UNSPSC

商品のタグ：

記述	価値
ECCN:	EAR99
UNSPSC版:	V15.1101
UNSPSC:	32101602