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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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High Power MOSFET
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高い発電MOSFET NTJD1155L 二重P-Channelの水平な転位8V ±1.3A 175mΩが付いている高い側面の負荷スイッチ
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製品カテゴリ
水晶電子部品
[133]
電子ダイオードおよびトランジスター
[51]
マイクロ制御回路単位MCU
[67]
フラッシュ・メモリのデータ記憶
[40]
PCB板コネクター
[38]
SMDの集積回路
[302]
デジタル電子モジュール
[12]
高い発電MOSFET
[2910]
光電子工学LED
[42]
受動の電子部品
[40]
Fpcの適用範囲が広いプリント回路
[12]
PCBアセンブリ サービス
[2]
電子デジタル表示装置板
[12]
信号力のリレー
[24]
SMDのディップ スイッチ
[50]
開発者用具
[12]
ULワイヤー ケーブル
[4]
電子部品センサー
[42]
スリップ リング アセンブリ
[26]
企業との接触
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
シティ：
shenzhen
国/地域：
china
連絡窓口：
Mrpeter
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企業との接触
高い発電MOSFET NTJD1155L 二重P-Channelの水平な転位8V ±1.3A 175mΩが付いている高い側面の負荷スイッチ
製品の詳細
高い発電MOSFET NTJD1155Lの二重P-Channelの水平な転位8V ±1.3A 175mΩが付いている高い側面の負荷スイッチ [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、...
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商品のタグ：
p mosfet 上側のスイッチ
mosfet 高端スイッチ
ダイオードスタック sr u620806
