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限られる太陽光線の電子工学（香港）

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限られる太陽光線の電子工学（香港）
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TRANS MOSFET N-CH 60V 0.115A 3 Pin SOT-23 T/Rの2N7002LT1G
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製品の詳細
オン・セミコンダクターのMOSFETsはオン州の抵抗の間を最小にするように提供する険しく、信頼できる、速い転換の性能を設計されていた。その最高の電力損失は300 MWである。プロダクトの最高の下水管の源の電圧は60ボルトであり、ゲート源電圧は±20 V.である。このMOSFETは-55°Cに150...
製品詳細図 →
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220 モスフェット 23日 モスフェット トランジスタ npn 2n2222

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