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4 年
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| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| 自動車 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | 力MOSFET |
| 材料 | Si |
| 構成 | 単一 |
| 加工技術 | HEXFET |
| チャネル モード | 強化 |
| チャネル タイプ | P |
| 破片ごとの要素の数 | 1 |
| 最高の下水管の源の電圧（v） | 20 |
| 最高のゲート源電圧（v） | ±12 |
| 最高のゲートの境界の電圧（v） | 1.2 |
| 作動の接合部温度（°C） | -55から150 |
| 最高の連続的な下水管現在の（a） | 3.7 |
| 最高のゲートの源の漏出流れ（nA） | 100 |
| 最高IDSS （uA） | 1 |
| 最高の下水管の源の抵抗（MOhm） | 65@4.5V |
| 典型的なゲート充満@ Vgs （NC） | 8@5V |
| 充満（NC）を流出させる典型的なゲート | 2.8 |
| 源充満（NC）への典型的なゲート | 1.2 |
| 典型的な逆の回復充満（NC） | 11 |
| 典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF） | 633@10V |
| 典型的な逆の移動キャパシタンス@ Vds （pF） | 110@10V |
| 最低のゲートの境界の電圧（v） | 0.4 |
| 典型的な出力キャパシタンス（pF） | 145 |
| 最高の電力損失（MW） | 1300 |
| 典型的な落下時間（ns） | 381 |
| 典型的な上昇時間（ns） | 48 |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間（ns） | 588 |
| 典型的なTurn-On遅れ時間（ns） | 350 |
| 最低の実用温度（°C） | -55 |
| 最高使用可能温度（°C） | 150 |
| 包装 | テープおよび巻き枠 |
| 脈打つ最高は流れ@ TC=25°Cを流出させる（a） | 22 |
| PCB （°C/W）の最高の接続点の包囲された熱抵抗 | 100 |
| 典型的なゲートのプラトーの電圧（v） | 1.9 |
| 典型的な逆の回復時間（ns） | 29 |
| 最高のダイオード前方電圧（v） | 1.2 |
| 典型的なゲートの境界の電圧（v） | 0.55 |
| 最高の肯定的なゲート源電圧（v） | 12 |
| ピン・カウント | 3 |
| 標準パッケージの名前 | SOT |
| 製造者のパッケージ | SOT-23 |
| 土台 | 表面の台紙 |
| パッケージの高さ | 1.02 （最高） |
| パッケージの長さ | 3.04 （最高） |
| パッケージの幅 | 1.4 （最高） |
| PCBは変わった | 3 |
| 鉛の形 | カモメ翼 |