限られる太陽光線の電子工学(香港)

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IPB200N25N3高い発電MOSFET、N CH Mosfet 250V 64A 3 Pin D2PAK T/R

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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IPB200N25N3高い発電MOSFET、N CH Mosfet 250V 64A 3 Pin D2PAK T/R

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型式番号 :IPB200N25N3
原産地 :中国
MPN :IPB200N25N3
MFR :Infineon
部門 :MOSFET
サイズ :4.57*10.31*9.45mm
最低順序量 :パッケージQty
包装の細部 :テープおよび巻き枠
受渡し時間 :2週
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1000+
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IPB200N25N3 Infineon TRANS MOSFET N-CH 250V 64A 3 Pin (2+Tab) D2PAK T/R

プロダクト技術仕様

EU RoHS 免除と迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 活動的
SVHC はい
SVHCは境界を超過する はい
自動車 いいえ
PPAP いいえ
製品カテゴリ 力MOSFET
構成 単一
加工技術 OptiMOS 3
チャネル モード 強化
チャネル タイプ N
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧(v) 250
最高のゲート源電圧(v) ±20
最高の連続的な下水管現在の(a) 64
最高の下水管の源の抵抗(MOhm) 20@10V
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) 64@10V
典型的なゲート充満@ 10V (NC) 64
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) 5340@100V
最高の電力損失(MW) 300000
典型的な落下時間(ns) 12
典型的な上昇時間(ns) 20
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) 45
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) 18
最低の実用温度(°C) -55
最高使用可能温度(°C) 175
包装 テープおよび巻き枠
ピン・カウント 3
標準パッケージの名前 TO-263
製造者のパッケージ D2PAK
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 4.57 (最高)
パッケージの長さ 10.31 (最高)
パッケージの幅 9.45 (最高)
PCBは変わった 2
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