限られる太陽光線の電子工学(香港)

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BSP322PH6327XTSA1 PチャネルMosfet 100V 1A自動車4 Pin SOT-223 T/R

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MrLarry Fan
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BSP322PH6327XTSA1 PチャネルMosfet 100V 1A自動車4 Pin SOT-223 T/R

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型式番号 :BSP322PH6327XTSA1
原産地 :中国
MPN :BSP322PH6327XTSA1
MFR :Infineon
部門 :MOSFET
サイズ :6.5*3.5*1.6mm
最低順序量 :パッケージQty
包装の細部 :テープおよび巻き枠
受渡し時間 :2週
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1000+
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BSP322PH6327XTSA1 Infineon TRANS MOSFET P-CH 100V 1A自動車4 Pin (3+Tab) SOT-223 T/R

プロダクト技術仕様

EU RoHS 迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 活動的
自動車 はい
PPAP 未知数
製品カテゴリ 小さい信号
構成 単一の二重下水管
加工技術 SIPMOS
チャネル モード 強化
チャネル タイプ P
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧(v) 100
最高のゲート源電圧(v) ±20
最高のゲートの境界の電圧(v) 1
最高の連続的な下水管現在の(a) 1
最高の下水管の源の抵抗(MOhm) 800@10V
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) 12.4@10V
典型的なゲート充満@ 10V (NC) 12.4
充満(NC)を流出させる典型的なゲート 4.3
源充満(NC)への典型的なゲート 0.8
典型的な逆の回復充満(NC) 84
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) 280@25V
典型的な出力キャパシタンス(pF) 70
最高の電力損失(MW) 1800
典型的な落下時間(ns) 8.3
典型的な上昇時間(ns) 4.3
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) 21.2
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) 4.6
最低の実用温度(°C) -55
最高使用可能温度(°C) 150
包装 テープおよび巻き枠
ピン・カウント 4
標準パッケージの名前 SOT
製造者のパッケージ SOT-223
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 1.6
パッケージの長さ 6.5
パッケージの幅 3.5
PCBは変わった 3
タブ タブ
鉛の形 カモメ翼
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