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IRF7601 HEXFET®力MOSFET
• 世代別V技術
•超低いオン抵抗
•NチャネルMOSFET
•非常に小さいSOICのパッケージ
•控えめ(<1>
•テープ及び巻き枠で利用できる
•速い切換え
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名のためにであること速い切り替え速度および高耐久化された装置設計と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与えます。
標準的なSO-8の足跡区域半分のの新しいMicro8パッケージは、SOICの輪郭で利用できる最も小さい足跡を提供します。これはMicro8にプリント基板スペースが報酬にある適用のための理想的な装置を作ります。控えめの(<1>
絶対最高評価
変数 | 最高。 | 単位 | |
---|---|---|---|
ID @ TA = 25°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 4.5V | 5.7 | A |
ID @ TA = 70°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 4.5V | 4.6 | A |
IDM | 脈打った下水管の流れの | 30 | A |
PDの@TA = 25°C | 電力損失 | 1.8 | W |
線形軽減の要因 | 14 | mW/°C | |
VGS | ゲートに源の電圧 | ± 12 | V |
dv/dt | ピーク ダイオードの回復dv/dt | 5.0 | V/ns |
TJ、TSTG | 接続点および保管温度の範囲 | -55に+ 150 | °C |
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
LD1117S25TR | 39000 | ST | 13+ | SOT-223 |
LD1117S33CTR | 32000 | ST | 16+ | SOT-223 |
LD39015M18R | 8024 | ST | 16+ | SOT23-5 |
LD39300PT33-R | 6785 | ST | 14+ | TO-252 |
LD7531AMGL | 16615 | LD | 16+ | SOT23-6 |
LD7830GR | 9996 | LD | 15+ | SOP-8 |
LDB212G4005C-001 | 56000 | 村田 | 14+ | SMD |
LF25CDT | 21498 | ST | 13+ | TO-252 |
LF347MX | 7640 | NS | 00+ | SOP-14 |
LFB212G45SG8A192 | 40000 | 村田 | 16+ | SMD |
LFCN-400+ | 1736 | 小型 | 14+ | SMD |
LFCN-80+ | 3554 | 小型 | 15+ | SMD |
LFCN-900+ | 3324 | 小型 | 15+ | SMD |
LFE2M100E-6FN900C-5I | 256 | 格子 | 16+ | BGA900 |
LFXP2-8E-5TN144C | 1363 | 格子 | 16+ | QFP144 |
LH1518AABTR | 3172 | VISHAY | 04+ | SMD-6 |
LH1520AAC | 8563 | VISHAY | 13+ | SOP-8 |
LH1540AABTR | 5958 | VISHAY | 00+ | SOP-6 |
LH5116NA-10 | 14603 | 鋭い | 13+ | SOP-24 |
LHI878/3902 | 14674 | HEIMANN | 10+ | CAN-3 |
LIS2DH12TR | 7611 | ST | 15+ | LGA12 |
LIS3DHTR | 4847 | ST | 14+ | LGA16 |
LL4004 | 15000 | ST | 16+ | LL41 |
LL4148-GS08 | 45000 | VISHAY | 15+ | LL34 |
LLQ2012-F56NJ | 12000 | TOKO | 16+ | SMD |
LM1086CSX-3.3 | 21569 | NS | 15+ | TO-263 |
LM1086CT-3.3 | 15605 | NS | 15+ | TO-220 |
LM111J-8 | 5202 | NSC | 15+ | CDIP-8 |
LM19CIZ | 4073 | NS | 16+ | TO-92 |
LM201AN | 4387 | 16+ | DIP-8 |