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10 年
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標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| REF5025AIDGKR | 7693 | チタニウム | 15+ | MSOP-8 |
| REF5025AIDR | 5866 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
| REG113NA-3/3K | 6375 | チタニウム | 15+ | SOT23-5 |
| RFANT5220110A2T | 48000 | WALSIN | 16+ | SMD |
| RGP02-20E-E3/54 | 82000 | VISHAY | 16+ | DO-41 |
| RHRP3060 | 17467 | FSC | 14+ | TO-220 |
| RJH60F7DPQ | 7148 | RENESAS | 13+ | TO-247 |
| RN1907FE | 161000 | 東芝 | 15+ | SOT-563 |
| RPR-220 | 3874 | ROHM | 14+ | DIP-4 |
| RR264MM-400TR | 12000 | ROHM | 15+ | SOD-123 |
| RS1J-E3/61T | 45000 | VISHAY | 16+ | DO-214AC |
| RS3MB-13-F | 18000 | ダイオード | 16+ | DO-214AA |
| RS507 | 88000 | 9月 | 16+ | DIP-4 |
| RSA5MG | 164000 | ROHM | 16+ | SOD-123 |
| RSX101VA-30TR | 66000 | ROHM | 15+ | SOD-323 |
| RT314012 | 3836 | TYCO | 13+ | DIP-8 |
| RT7257AHZSP | 7602 | RICHTEK | 14+ | SOP-8 |
| RT8011APQW | 20000 | RICHTEK | 14+ | QFN |
| RT8250GSP | 19368 | RICHTEK | 13+ | SOP-8 |
| RT8289GSP | 6446 | RICHTEK | 12+ | SOP-8 |
| RT9161A-33PG | 40000 | RICHTEK | 15+ | SOT-223 |
| RT9162-33PX | 66000 | RICHTEK | 14+ | SOT-89 |
| RT9167A-33GB | 11000 | RICHTEK | 13+ | SOT23-5 |
| RT9167A-50GB | 23060 | RICHTEK | 16+ | SOT23-5 |
| RT9701PBL | 90000 | RICHTEK | 13+ | SOT23-5 |
| RT9715EGB | 67000 | RICHTEK | 11+ | SOT23-5 |
| RTC72421A | 6330 | EPSON | 14+ | DIP-18 |
| RTD2271CW-CG | 3861 | REALTEK | 12+ | QFP128 |
| RTL8111F-CG | 3855 | REALTEK | 14+ | QFN48 |
| RU190N08Q | 16236 | RUICHIPS | 16+ | TO-247 |
ケイ素力トランジスター2SA1412-Z
PNPのケイ素の三倍によって拡散させるトランジスター
記述
2SA1412-Zは雑種の集積回路の高圧切換えのために、特に設計されています。
特徴
•高圧:VCEO = −400 V
•高速:tfの≤ 0.7のμs
•2SC3631-Zへの補足物
絶対最高評価（TA = 25°C）
基礎電圧VCBO −400 Vへのコレクター
エミッターの電圧VCEO −400 Vへのコレクター
エミッターの電圧VEBO −7 Vへの基盤
コレクター流れ（DC） IC（DC） −2.0 A
コレクター流れ（脈拍）のノート1 IC（脈拍） −4.0 A
全体の電力損失（TA = 25°C）ノート2 PT 2.0 W
接合部温度Tj 150の°C
+150 °Cへの保管温度Tのstg −55
ノート1. PWの≤ 10氏の使用率の≤ 50%
2。0.7 mmを× 7.5のcm2のの陶磁器の基質に取付けられた場合
パッケージのデッサン（単位:mm）
