最新の価格を尋ねる
サイト会員
10 年
Add to Cart
株式オファー（ホット・セール）
| 部品番号 | 量 | ブランド | D / C | パッケージ |
| MAX191BCWG + | 2338 | マキシム | 16+ | SOIC-24 |
| MAX1932ETC + T | 3044 | マキシム | 13+ | QFN |
| MAX232EIDR | 50000 | TI | 13+ | SOP-16 |
| MAX232IDW | 9003 | TI | 11+ | SOP-16 |
| MAX253CSA + | 6562 | マキシム | 14+ | SOP-8 |
| MAX3051EKA + T | 3853 | マキシム | 14+ | SOT-23 |
| MAX3061EEKA | 4024 | マキシム | 15歳以上 | SOT23-8 |
| MAX3070EESD | 5557 | マキシム | 16+ | SOP-14 |
| MAX31865ATP + T | 3707 | マキシム | 16+ | QFN20 |
| MAX3221ECPWR | 3059 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3224ECAP | 4095 | マキシム | 16+ | SSOP-20 |
| MAX3232CPWR | 5697 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CUE | 3986 | マキシム | 16+ | TSSOP |
| MAX3232EIDR | 3667 | TI | 16+ | SOP-16 |
| MAX3238ECPWR | 8331 | TI | 10+ | TSSOP |
| MAX3243CDBR | 3590 | TI | 14+ | SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR | 6741 | TI | 09+ | SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ + | 553 | マキシム | 13+ | NA |
| MAX3311CUB | 2302 | マキシム | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3311EEUB | 2324 | マキシム | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3442EEPA + | 3095 | マキシム | 16+ | DIP-8 |
| MAX3442EESA + T | 5829 | マキシム | 16+ | SOP-8 |
| MAX3486CSA | 15889 | マキシム | 16+ | SOP-8 |
| MAX3490CSA + | 11077 | マキシム | 13+ | SOP-8 |
| MAX4080SASA + T | 15089 | マキシム | 16+ | SOP-8 |
| MAX418CPD | 3034 | マキシム | 14+ | DIP-14 |
| MAX4624EZT | 15171 | マキシム | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4663CAE | 2151 | マキシム | 16+ | SSOP-16 |
| MAX472CPA | 4115 | マキシム | 15歳以上 | DIP-8 |
| MAX491CPD + | 14840 | マキシム | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220 / FP / DPAK / IPAK / D 2 PAK / I 2 PAK
ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFET
■標準R DS （on）= 1.76Ω
■極端に高いdv / dt機能
■100％のAVALANCHEテスト済み
■GATE CHARGE MINIMIZED
■非常に低い誘電率
■非常に良い製造上の不安定性
DESCRIPTION
SuperMESH™シリーズは、STの定評のあるストリップベースのPowerMESH™レイアウトの極限的な最適化によって得られます。 オン抵抗を大幅に下げることに加えて、最も要求の厳しいアプリケーションに対して非常に優れたdv / dt性能を確保するために特別な注意が払われます。 このようなシリーズは革新的なMDmesh™製品を含むSTフルレンジの高耐圧MOSFETを補完します。
アプリケーション
■高電流・高速スイッチング
■オフライン電源、アダプター、PFCに最適
■照明
絶対最大定格
| シンボル | パラメータ | 値 | 単位 | ||
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z - 1 | |||
| V DS | ドレイン - ソース電圧（V GS = 0） | 600 | V | ||
| V DGR | ドレイン・ゲート電圧（R GS = 20kΩ） | 600 | V | ||
| V GS | ゲート・ソース間電圧 | ±30 | V | ||
| 私はD | T C = 25℃でのドレイン電流（連続） | 4 | 4（*） | 4 | A |
| 私はD | T C = 100℃でのドレイン電流（連続） | 2.5 | 2.5（*） | 2.5 | A |
| I DM （・） | ドレイン電流（パルス） | 16 | 16（*） | 16 | A |
| P TOT | T C = 25°Cにおける合計損失 | 70 | 25 | 70 | W |
| ディレーティングファクタ | 0.56 | 0.2 | 0.56 | トイレ | |
| V ESD（GS） | ゲート・ソースESD（HBM-C = 100pF、R =1.5KΩ） | 3000 | V | ||
| dv / dt（1） | ピークダイオード回復電圧スロープ | 4.5 | V / ns | ||
| VISO | 絶縁耐圧（DC） | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | 動作接合温度 保管温度 | -55〜150 -55〜150 | °C | ||
（•）安全動作領域によって制限されるパルス幅
（1）I SD ≦4A、di / dt≦200A /μs、V DD ≦V （BR）DSS 、Tj≦T JMAX 。
（*）最高温度に限ります