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東芝の電界効果トランジスタ
ケイ素NチャネルMOSのタイプ(π−MOSIII) 2SK2611
DC−DCのコンバーター、リレー ドライブおよびモーター ドライブ塗布
*抵抗の低いdrain−source:RのDSの() = 1.1 Ω (typ。)
*高い前方移動アドミタンス:|Yfs|= 7.0 S (typ。)
*低い漏出流れ:IDSS = 100 μA (最高) (VDS = 720 V)
* Enhancement−mode:Vth = 2.0~4.0ボルト(VDS = 10のボルト、ID = 1 mA)
重量:4.6 g (typ。)
絶対最高評価(Ta = 25°C)
特徴 | 記号 | 評価 | 単位 | |
Drain−sourceの電圧 | VDSS | 900 | V | |
Drain−gateの電圧(RGS = 20 kΩ) | VDGR | 900 | V | |
Gate−sourceの電圧 | VGSS | ±30 | V | |
流れを流出させて下さい | DC (ノート1) | ID | 9 | A |
脈拍(ノート1) | IDP | 27 | A | |
電力損失を流出させて下さい(Tc = 25°C) | PD | 150 | W | |
単一の脈拍のなだれエネルギー(ノート2) | Eように | 663 | mJ | |
なだれの流れ | IAR | 9 | A | |
反復的ななだれエネルギー(ノート3) | EAR | 15 | mJ | |
チャネルの温度 | TCH | 150 | °C | |
保管温度の範囲 | Tのstg | −55~150 | °C |
注:作動条件(すなわち実用温度/流れ/電圧、等)が絶対最高評価の内にあっても重負荷(例えば温度、等の高温/流れ/電圧および重要な変更の適用)の下の絶えず使用によりこのプロダクトは信頼性でかなり減りますかもしれません。東芝の半導体の信頼性の手引(「注意」/Derating概念および方法扱います)および個々の信頼性データ(すなわち信頼度試験のレポートおよび推定故障率、等)見直した上で適切な信頼性を設計しま。
熱特徴
特徴 | 記号 | 最高 | 単位 |
熱抵抗、場合へのチャネル | RのTh(ch−c) | 0.833 | °C/W |
熱抵抗、包囲されたへのチャネル | RのTh(ch−a) | 50 | °C/W |
ノート1:チャネルの温度が150°C.の下にあったらという条件で装置を使用して下さい
ノート2:VDD = 90ボルト、TCH = 25°C (頭文字)、L = 15 mH、RG = 25 Ω、IAR = 9 A
ノート3:反復的な評価:最高チャネルの温度によって限られる脈拍幅
このトランジスターは静電気の敏感な装置です。
慎重に扱って下さい。
印が付いていること