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Anterwell Technology Ltd.
シティ：shenzhen
省/州：guangdong
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低い熱抵抗100つのV NチャネルのNexFET力のMOSFETs CSD19533Q5A
低い熱抵抗100つのV NチャネルのNexFET力のMOSFETs CSD19533Q5A
  • 低い熱抵抗100つのV NチャネルのNexFET力のMOSFETs CSD19533Q5A
製品の詳細
特徴 •超低いQgおよびQgd •低い熱抵抗 •評価されるなだれ •Pbなしの末端のめっき •迎合的なRoHS •ハロゲンは放します •息子5 mmの× 6 mmのプラスチック パッケージ 適用 •第一次側面の電気通信 •二次側面の同期整流器 •運動制御 記述 この100つのVの7.8 mΩ、息子5 ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
隔離ゲート双極トランジスタ igbt fr4 熱抵抗 igbt 飽和電圧

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