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9 年
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| 評価 | 記号 | MAX. | 単位 |
| コレクター エミッターの電圧 | VCEO | 80 | Vdc |
| コレクター エミッターの電圧 | VCER | 100 | Vdc |
| コレクター基盤の電圧 | VCBO | 120 | Vdc |
| エミッター基盤の電圧 | VEBO | 7.0 | Vdc |
| 連続的なコレクター流れ- | IC | 0.5 | Adc |
| 総装置消滅@ Tは25oCの上でA = 25oC軽減します | PD | 0.8 | ワットmW/oC |
| 総装置消滅@ Tは25oCの上でC = 25oC軽減します | PD | 3.0 | ワットmW/oC |
| 実用温度範囲 | TJ | -55から+200 | oc |
| 保管温度の範囲 | TS | -55から+200 | oc |
| 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | qJA Rの | 219 | oC/W |
| 熱抵抗、場合への接続点 | qJA Rの | 58 | oC/W |
機械輪郭
| 特徴 | 記号 | 最少。 | TYP. | MAX. | 単位 |
| 特徴を離れて | |||||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧（I C = 100 mAdc、RBE = 10オーム） （1） | BVCER | 100 | -- | ||
| コレクター エミッターの支える電圧（1） （I C = 30 mAdc、IB = 0） （1） | BVCEO | 80 | -- | ||
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧（I C = 100 mAdc、IE = 0） | BV（BR）CBO | 120 | -- | Vdc | |
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧（IE = 100 mAdc、IC = 0） | BV（BR）CBO | 7.0 | -- | ||
| コレクタ遮断電流（VのCB = 90 Vdc、IE = 0） （VのCB = 90 Vdc、IE = 0、TA = C） 150o | ICBO | -- | 0.01 | mAdc | |
| エミッターの締切りの流れ（VEB = 5.0 Vdc、IC = 0） | IEBO | -- | 0.01 | mAdc | |
| 特徴 | |||||
| D.C. 現在の利益（IC = 0.1のmAdc、VCE = 10 Vdc） （I C = 10mAdc、VCE = 10 Vdc） （1） （I C = 10mAdc、VCE = 10 Vdc、TA = C） -55o （1） （I C = 150mAdc、VCE = 10 Vdc） （1） | hFE | 20 | -- | -- | |
| コレクター エミッターの飽和電圧（1） （IC = 150 mAdc、IB = 15 mAdc） | Vセリウム（土曜日） | -- | 0.5 | Vdc | |
| 基盤エミッターの飽和電圧（1） （IC = 150 mAdc、IB = 15 mAdc） | Vセリウム（土曜日） | -- | 1.3 | Vdc | |
| 小さい信号の短絡の前方流動比率（I C = 50 mAdc、VCE = 10 Vdc、f = 20のMHz）の大きさ | /hfe/ | 3 | 10 | ||
| 出力キャパシタンス（VのCB = 10のVdc、IE = 0、f = 1.0 MHz） | COBO | 5 | 15 | pF | |
| 入力インピーダンス= （I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0kHz） | hのib | 4.0 | 8.0 | オーム | |
| 電圧フィードバックの比率（I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz） | hのRB | -- | 1.5 | X 10-4 | |
| 小型信号の現在の利益（I c = 1.0 mAdc、VcB = 5.0Vdc、f = 1.0 kHz） （I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz） | hfe | 35 | 100 | -- | |
| 出力アドミタンス（I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz） | hのob | -- | 0.5 | mmho | |
| 脈拍応答（Vcc = 20Vdc、IC = 500mAdc） | tの+ tの | -- | 30 | ns |
（1）脈拍テスト:脈拍幅の£ 300氏の使用率の£ 2.0%。