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MHL21336 電界効果トランジスタ 力モジュール IC は 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプを分けます

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MHL21336 電界効果トランジスタ 力モジュール IC は 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプを分けます 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプ 3G 周波数帯域で作動する 50 オーム システムの超線形アンプの塗布のために設計されている。 ケイ素 FET のクラス A の設計は...
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