中国アンプメーカー OEM パワーアンプ モジュール Dクラス 1000 ワット DSP サブウーファープレートアンプ プレートサブウーファー パワーアンプの特徴 1000ワットの出力を持つ強力なプレートアンプです.それはすべてのポートとコントロールに接続されている金属シートから作られてい.........
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800WデジタルのDSPの可聴周波プロセッサが付いている小さい線形スピーカーのサブウーファーのアンプ モジュールのクラスD 製品の説明 大きい力のスイッチ力の供給 110V-220V広い作動の電圧 理性的な短絡、積み過ぎの保護 低熱高性能ファンなしの沈黙の自然な冷却 別の使用法のた.........
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#detail_decorate_root .magic-0 {ボーダー底式:固体;ボーダー底色:#53647a;壷家族:Roboto;壷サイズ:24px;色:#53647a;壷式:常態;ボーダー底幅:2px;パッディング トップ:8px;パッディング底:4px} #detail_decorate......
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クラスDのデジタル アンプ板セットのアンプ モジュール モデルNO M001 2X300Wは8オーム、2X500W 4オーム、1000W橋8Ω 1000Wのゆがみ（1kHZ、=10dB/4オーム） 112dBAの十字の話（1kHZ、4オーム） >35dB Frenquencyの応答10Hzへの20k ......
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X帯域電源増幅器 8000-11000 MHZ Psat 43 dBm RF電源増幅器 Dエスクリプション このクラスAB GaNモジュールは,軍事および商業用アプリケーションの両方に設計されています.これは,包括的に3-4G通信,WLAN,OFDM最新のデバイス技術と設計方法が採用され,小さく........
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DanteモジュールのUSB制御を使って2チャンネルのステレオ2*600WステレオのクラスDの電力増幅器を使って 記述: 4チャネルDSPのデジタル電力増幅器は3.97インチ色TFTの抵抗のタッチ画面 モジュールおよび可聴周波処理モジュールで構成される。4チャネルの釣り合った出.........
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IRS2092STRPBFの高性能のクラスDの可聴周波電力増幅器ICの破片 プロダクト リスト: IRS2092STRPBFのアンプICは欠ける 特徴: - 可聴周波電力増幅器のための単一集積回路 - 200With4ohm、BTLは出力した.........
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クラスDのArduinoのための可聴周波デュアル・チャネル電力増幅器15wのギターAmp TPA3110D2センサー モジュール 指定: アンプの破片 TPA3110D2 定常電圧 8 | 26VDC （.........
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LEORY 215W TPA3110のクラスDのステレオの電力増幅器DC 8V-26V Bluetooth 4.2デジタルのアンプ板 特徴: 板は反逆機能の単一の電源を使用している間TPA3110の古典的回路を使用します。力はアダプターおよび切換えの電源と使用することができま.........
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エマーソン デルタV KJ3005X1-BA1 全新電源モジュール 記述: パワー仕様: ローカルバスの電源評価 12 VDC 300 mA 24 VDC フィールド回路の電力はカードあたり ない 30 VDC AS-I ポート毎のフィールド電源 70 mA (最大) 環境仕様: .........
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GSM 900 &U900&DCS1800<E1800&UMTS2100 無線中継器 I.Characteristics 及び1800MHz及び2100MHz 900MHzのために適した周波数帯域。 相互変調（IMD3）の安定性を保障する線形電力増幅器および非常に統合されたモジュール。 低雑音図......
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1特徴 サポート多数の出力環境設定 – 2×50WIntoa4-ΩBTLLoadat21V （TPA3116D2） – 2×30WIntoa8-ΩBTLLoadat24V （TPA3118D2） – 2×15WIntoa8-ΩBTLL......
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シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている:- 半導体:マイクロコントローラー,トランジスタ,ダ.......
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無線/ラジオ/広帯域Rfのアンプ1.1 – 1.7 GHzの周波数帯域 ソリッド ステート高い発電1.1-1.7GHz RFの電力増幅器PAのRFの電力増幅器モジュール 電力増幅器の特徴: クラスA/AB線形GaNの設計 棚によって取付けられるシステム.........
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MHL21336 電界効果トランジスタ 力モジュール IC は 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプを分けます 3G バンド RF 線形 LDMOS アンプ 3G 周波数帯域で作動する 50 オーム システムの超線形アンプの塗布のために設計されている。.........
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IGBTモジュールを運転するための三菱IgbtモジュールM57962AL-01R-02雑種IC記述:M57962ALはあらゆるゲート アンプのn-channel IGBTモジュールを運転するために設計されている雑種の集積回路である 適用。この装置はこれらのモジュールのための分離のアンプとして作動し.......
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