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信号力 電界効果トランジスタ のトランジスター P チャネルの強化モード BSP315 SIPMOS

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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信号力 電界効果トランジスタ のトランジスター P チャネルの強化モード BSP315 SIPMOS

最新の価格を尋ねる
型式番号 :BSP315
原産地 :中国
最低順序量 :20 pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :6800PCS
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
メイン ライン :IC、モジュール、トランジスター、ダイオード、コンデンサー、抵抗器等
特長 :P チャネル
Features2 :強化モード
Features3 :• 論理のレベル
Features4 :VGS (Th) = -0.8 の… - 2.0 ボルト
パッケージ :SOT-23
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信号力 電界効果トランジスタ のトランジスター P チャネルの強化モード BSP315 SIPMOS

 

 

• P チャネル

• 強化モード                    信号力 電界効果トランジスタ のトランジスター P チャネルの強化モード BSP315 SIPMOS

• 論理のレベル

• VGS (Th) = -0.8 の… - 2.0 ボルト

 

 

 

信号力 電界効果トランジスタ のトランジスター P チャネルの強化モード BSP315 SIPMOS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

下水管源の絶縁破壊電圧 V (BR) DSS = ƒ (Tj)

信号力 電界効果トランジスタ のトランジスター P チャネルの強化モード BSP315 SIPMOS 

 

 

一時的な熱インピーダンス Zth JA = ƒ (TP)変数: D = TP/T

 

信号力 電界効果トランジスタ のトランジスター P チャネルの強化モード BSP315 SIPMOS 

 

 

 

最高の評価

変数  記号  価値  単位
源の電圧を流出させて下さい  VDS  -50 V

下水管ゲートの電圧

RGS = 20 kΩ

VDGR -50
ゲート源電圧 VGS  ± 20

連続的な下水管の流れ

TA = 39 °C

ID -1.1 A

DC の下水管の流れ、

脈打つ TA = 25 °C

IDpuls -4.4

電力損失

TA = 25 °C

P の幼児 1.8 W

 

 

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