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Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.
シンセンZhongkaixinのマイクロ電子工学Co.、株式会社。
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Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.
シティ:
shenzhen
国/地域:
china
連絡窓口:
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分離した半導体
NTH4L020N090SC1 SIC力MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
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RB058RSM10STL1分離した力装置TO-277A-3ショットキー ダイオード
離散半導体 RB058RSM10STL1 TO-277A-3 ショットキーダイオード 製品説明: 当社の製品は,通常の電子機器 (AV機器,OA機器,通信機器,家庭用電子機器,娯楽機器,など). 適用: • 電源の切り替え • フリーホイールダイオード......
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PSMN1R1-30YLEXの分離した半導体製品SOT-669-5 MOSFET
分離した半導体PSMN1R1-30YLEX SOT-669-5 MOSFET 製品の説明: LFPAK56パッケージの高められたSOAのホット スワップのためのN-channelの強化モードASFETは低いRDSonおよび強い安全運転区域のために、ホット スワップ、侵入およびlinearm......
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AQRV05-4HTGの分離した半導体デバイスSOT-23-6 ESDのサプレッサー
離散半導体 AQRV05-4HTG SOT-23-6 ESD 抑制器 製品説明: AQRV05-4HTGは低容量レール対レールダイオードと追加のゼナーダイオードを統合し,ESDと高電圧発生から各I/Oピンを保護する.この頑丈な装置は,性能低下なく,IEC 61000-4-5 (tP=8......
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IPB018N10N5ATMA1半導体分離した装置PG-TO263-3 MOSFET
離散半導体 IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET 製品説明: MOSFETOptiMOSTM5 パワートランジスタ,100V 特徴: •高周波スイッチとシンクレスの理想•Nチャンネル,通常のレベル•FOMOSS に最適化•RDS (オン)•175° 協力温度•Pbフリ...
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APT25GT120BRGの分離した半導体TO-247-3 IGBTのトランジスター
離散半導体 APT25GT120BRG TO-247-3 IGBT トランジスタ 製品説明: Thunderblot IGBT®は,新世代の高電圧電源IGBTです.Non- Punch Through テクノロジーを利用して,Thunderblot IGBT®は優れた頑......
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APT30M85BVRGの分離した半導体TO-247-3 MOSFET
離散半導体 APT30M85BVRG TO-247-3 MOSFET 製品説明: パワーMOS V®は新世代の高圧Nチャネル強化モードのパワーMOSFETである.この新しい技術はJFET効果を最小限に抑え,パッキング密度を増加させ,オン抵抗を減らす.また,最適化されたゲートレイ......
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APT50M60L2VRGの分離した半導体TO-264-3 MOSFET
離散半導体 APT50M60L2VRG TO-264-3 MOSFET 製品説明: パワーMOS V®は新世代の高圧Nチャネル強化モードのパワーMOSFETである.この新しい技術はJFET効果を最小限に抑え,パッキング密度を増加させ,オン抵抗を減らす.また,最適化されたゲートレ......
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SMC30J70CAの分離した半導体DO-214AB-2 TVのダイオード
離散半導体 SMC30J70CA DO-214AB-2 TVSダイオード 製品説明: SMC30J TVSシリーズは,IEC 61000-4-2,MIL STD 883 メソッド 3015 に基づいて,感受性のある機器を静電放電から保護するように設計されています.IEC 61000-4......
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