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ISL89412IBZ-T13の指定
部門 |
集積回路(IC) |
Mfr
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Renesasの電子工学アメリカ株式会社
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プロダクト状態
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活動的
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運転された構成
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低側
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チャネル タイプ
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独立した
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運転者の数
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2
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ゲートのタイプ
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N-Channel、P-Channel MOSFET
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電圧-供給
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4.5V | 18V
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論理の電圧- VIL、VIH
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0.8V、2.4V
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現在-ピーク出力(源、流し)
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2A、2A
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入れられたタイプ
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非逆になる逆になること
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上昇/落下の時間(タイプ)
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7.5ns、10ns
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実用温度
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-40°C | 125°C (TJ)
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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